半导体存储器的分类
从制造工艺的角度可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等；从应用角度上可将其分为两大类： 随机读写存储器（RAM），又称随机存取存储器；只读存储器（ROM）。
1、只读存储器（ROM）
只读存储器在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入的存储器，其中又可以分为以下几种。
（1）掩膜ROM，利用掩膜工艺制造，一旦做好，不能更改，因此只适合于存储成熟的固定程序和数据。工厂大量生产时，成本很低。
（2）可编程ROM，简称PROM，由厂商生产出的空白存储器，根据用户需要，利用特殊方法写入程序和数据，但是只能写一次，写入后信息固定的，不能更改。
（3）光擦除PROM， 简称EPROM，这种存储器编写后，如果需要擦出可用紫外线灯制造的擦除器照射20分钟左右，使存储器复原用户可再编程。
（4） 电擦除PROM， 简称EEPROM， 顾名思义可以通过电来进行擦除，这种存储器的特点是能以字节为单位擦除和改写，而且不需要把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统即可进行。
（5）Flash Memory， 简称闪存。它是非易失性存储器，在电源关闭后仍能保持片内信息，与EEPROM相比，闪存存储器具有成本低密度大的优点。
2、随机读写存储器（RAM）
分为两类： 双极型和MOS型两种。
（1）双极型 RAM，其特点是存取速度快，采用晶体管触发器作为基本存储电路，管子较多，功耗大，成本高，主要用于高速缓存存储器（Cache）.
(2) MOS RAM, 其特点是功耗低，密度大，故大多采用这种存储器，它又分为两种：
静态RAM（SRAM），动态RAM（DRAM）
SRAM : 存储原理是用双稳态触发器来做存储电路，状态稳定，只要不掉电，信息就不会丢失，优点是不用刷新，缺点是集成度低。
DRAM : 存储原理是用电容器来做存储电路，优点是电路简单，集成度高，缺点是由于电容会漏电需要不停的刷新。